Подложки тербия-скандия TbScO3

Подложки тербия-скандия TbScO3 имеют хорошее согласование решетки со сверхпроводниками со структурой перовскита и идеально подходят для выращивания сегнетоэлектрических эпитаксиальных пленок. Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и силовой микроскопии пьезоотклика исследованы доменные структуры тонких эпитаксиальных пленок сегнетоэлектрика PbTiO3 размером 320 нм, выращенных методом химического осаждения из газовой фазы в идентичных условиях на подложках из SmScO3 и TbScO3. Обсуждаются частотные сдвиги фононов и характерные мотивы доменной структуры. Результаты показывают поразительно различную архитектуру доменной структуры: доменные структуры пленки PbTiO3, выращенной на SmScO3, имеют преимущественно a-доменную ориентацию, в то время как сильно предпочтительная ориентация c-доменов была обнаружена в пленке PbTiO3, выращенной на подложке TbScO3. Различия между этими двумя случаями связаны с несоответствием решеток пленки и подложки при температуре осаждения.