Aрсенид галлиевые пластины GaAs
Мы поставляем только высококачественные монокристаллические пластины арсенида галлия для оптоэлектронной и микроэлектронной промышленности, в частности арсенид галлия используется в качестве подложки для кристаллов светодиодов. Диаметр пластин арсенида галлия от 50 до 100 мм. Два основных метода роста: Чохральского (LEC) и вертикальной направленной кристаллизации (VGF), которые обеспечивают широкий выбор GaAs материалов. Арсенид галлия поставляется в виде слитков и пластин с двумя различными проводящими типами - полупроводниковые и полуизолирующие.
Спецификация |
|||
Метод роста |
LEC либо VGF |
||
Диаметр*, мм |
50.8 |
76.2 |
100 |
Толщина*, мкм |
350 ~ 625 |
||
Проводимость |
Полупроводниковые либо полуизолирующие |
||
Тип проводимости |
P - тип либо N - тип |
||
Легирующие примеси |
Кремний; теллур; цинк; без примесей |
||
Ориентация |
<100>; <111>; <110> |
||
Полировка |
Односторонняя либо двусторонняя |
*Может изменяться в соответствии с требованиями заказчика.
Для получения большей информации свяжитесь с нашим менеджером.