Aрсенид галлиевые пластины GaAs

Мы поставляем только высококачественные монокристаллические пластины арсенида галлия для оптоэлектронной и микроэлектронной промышленности, в частности арсенид галлия используется в качестве подложки для кристаллов светодиодов. Диаметр пластин арсенида галлия от 50 до 100 мм. Два основных метода роста: Чохральского (LEC) и вертикальной направленной кристаллизации (VGF), которые обеспечивают широкий выбор GaAs материалов. Арсенид галлия поставляется в виде слитков и пластин с двумя различными проводящими типами - полупроводниковые и полуизолирующие.

Aресенид галлиевые пластины GaAs

 

Спецификация

Метод роста

LEC либо VGF

Диаметр*, мм

50.8

76.2

100

Толщина*, мкм

350 ~ 625

Проводимость

Полупроводниковые либо полуизолирующие

Тип проводимости

P - тип либо N - тип

Легирующие примеси

Кремний; теллур; цинк; без примесей

Ориентация

<100>; <111>; <110>

Полировка

Односторонняя либо двусторонняя

*Может изменяться в соответствии с требованиями заказчика.

Для получения большей информации свяжитесь с нашим менеджером.