Кремниевые пластины на диэлектрике (SOI)
Предлагаем высококачественные кремниевые пластины на диэлектрике (SOI). Кремний на изоляторе применяется в МЭМС системах, устройствах питания и в полупроводниковой промышленности, при производстве центральных процессоров. Диаметр пластин от 100 мм с различной толщиной и диапазоном сопротивлений.
Спецификация кремния на изоляторе (SOI) |
||
Диаметр*, мм |
100 |
150 |
Толщина пластины, мкм |
>= 300 |
|
Тип проводимости |
P - тип либо N - тип |
|
Ориентация |
<100> , <111> , <110> |
|
Диапазон сопротивлений. Ом*см |
0.001 ~ 10000 |
|
Толщина диэлектрика, |
500Å ~ 4 мкм |
|
Допуск по толщине |
+/-5 % |
|
Толщина слоя, мкм |
2 - 300 |
|
Допуск по толщине, мкм |
+/-0.5 ~ +/-2 |
|
Поверхность |
полированная |
*Может изменяться в соответствии с требованиями заказчика.
Для получения большей информации свяжитесь с нашим менеджером.