Монокристаллические подложки нитрида алюминия AlN

Монокристаллические були нитрида алюминия (AlN) выращивали методом физического переноса пара (PVT). Расширение диаметра во время роста були без введения малоугловых границ зерен (LAGB) вокруг периферии були было подтверждено визуализацией скрещенных поляризаторов, синхротронной рентгеновской топографией с белым лучом (SWBXT) и синхротронной монохроматической рентгеновской топографией (SMBXT). ). Плотности базисных плоских дислокаций (BPD) и пронизывающих краевых дислокаций (TED), усредненные по топограммам с большим увеличением пяти областей высококачественной подложки, составляли 0 см-2 и 992 см-2 соответственно. Подложки, изготовленные из булей AlN, обладают отличной обработкой поверхности, подходящей для эпитаксии.